Под контактами двух технологических узлов Microchip нашли истончённый и местами неровный Co silicide. Анализ связал дефект с деградацией pre-Co sputter clean; для одного из узлов этот механизм остаётся интерпретацией, совместимой с наблюдениями. →
Две кремниевые пластины должны встретиться так, чтобы тысячи медных площадок попали друг в друга с шагом 300 нм. В работе Applied Materials и EV Group заявлен bonding overlay 50 нм при таком гибридном соединении пластина-к-пластине. Теперь решающим становится смысл этого числа: какую ошибку оно описывает и выдержит ли её реальная линия производства. →