SanDisk перенесла координату высокоомного дефекта 3D NAND через кристаллFIB-метка и инфракрасное совмещение сохранили координату buried interconnect после переворота и шлифовки кристалла. В одном case study SEM PVC и TEM связали область высокоомного отказа с malformed via и partial metal void на M0–V1. →SILICON · 7 окт. 2026 г.#3d nand#анализ отказов#fib#электронная микроскопия#полупроводники