SanDisk перенесла координату высокоомного дефекта 3D NAND через кристалл
Стопка ячеек 3D NAND давно перестала быть всей микросхемой памяти. В архитектуре CMOS-under-array управляющая логика лежит под массивом, под сотнями слоёв памяти. Если электрический тест указывает на высокое сопротивление в этой части кристалла, привычная атака с лицевой стороны превращается в археологию: до нужной линии приходится снимать огромную конструкцию, легко потеряв сам дефект.
Ориентир, который переживает переворот кристалла
SanDisk показала другой маршрут в одном разборе отказа. Сначала по топологии на лицевой стороне определили электрически подозрительную область. Затем через толщу кремния сформировали ориентир сфокусированным ионным пучком, FIB. После переворота кристалла инфракрасный микроскоп увидел этот ориентир сквозь кремний и привязал координату дефекта к обратной стороне.
Смысл такого манёвра в сохранении адреса. Перевёрнутый кристалл после шлифовки уже не показывает разводку, по которой исходно нашли сбой: исследователь видит кремниевую подложку с другой геометрией и должен попасть в участок размером с отдельный элемент межсоединений. FIB-метка создаёт физический мост между двумя сторонами той же микросхемы, а ИК-изображение позволяет этот мост отыскать до того, как подложка станет слишком тонкой.
От электрической аномалии до конкретного перехода
Авторы шлифовали кремний с обратной стороны и исследовали вскрытую область в растровом электронном микроскопе методом пассивного контраста напряжения, PVC. Плавающий или оборванный металлический фрагмент при таком наблюдении выглядит иначе, поскольку не удерживает ожидаемый потенциал. В указанном case study PVC дал тёмный разрыв контраста в месте, совпадающем с перенесённой координатой.
Где заканчивается один убедительный case study
Дальше участок отправили в просвечивающий электронный микроскоп. По данным авторов, TEM обнаружил неправильно сформированный переход между слоями металлизации и частичную пустоту металла на границе M0–V1. Такая геометрия создаёт узкое, плохо проводящее место в скрытой межсоединительной линии и объясняет высокое сопротивление, увиденное электрическими тестами.
Красота метода здесь не в самом FIB, ИК-микроскопе или TEM: каждое из этих средств давно знакомо лабораториям анализа отказов. Необычна связка, которая переносит результат электрического поиска через весь кристалл в область, доступную с обратной стороны. Для памяти с логикой под массивом это меняет последовательность вскрытия: массив ячеек можно не уничтожать послойно ради одной подозрительной линии.
Авторы оценивают сокращение времени анализа примерно в 30%, однако открытое описание не содержит исходного времени, числа образцов и разброса результатов. Поэтому это пока убедительный единичный разбор, а не доказанная типовая экономия для любых 3D NAND. Микрографий, режима PVC, толщины после шлифовки и сопротивления дефекта в доступных страницах также нет.
Работа опубликована в материалах ISTFA 2026, pp. 583–586, DOI 10.31399/asm.cp.istfa2026p0583. Она ценна уже самой демонстрацией цепочки доказательств: электрическая неисправность получила координату, координата пережила переворот кристалла, а затем привела к физическому дефекту под массивом памяти.