FIB-метка и инфракрасное совмещение сохранили координату buried interconnect после переворота и шлифовки кристалла. В одном case study SEM PVC и TEM связали область высокоомного отказа с malformed via и partial metal void на M0–V1. →
Фемтосекундный лазер позволил послойно вскрывать обугленных сверчков прямо в вакуумной камере сканирующего электронного микроскопа: галвосканер снимал слои с шагом около 30 мкм, после чего SEM фиксировал открывшуюся структуру без переноса образца. Защитная алюминиевая заслонка перехватывала углеродную пыль, однако её загрязнённое покрытие накапливало заряд и временно возмущало электронный тракт. →