84% составил выход сборки двух соседних C₄-цепочек на H-пассивированном Si(100): в 27 из 32 серий зонд переносил четыре фрагмента C₂ на заранее созданную пару dangling bonds. Inverted-mode STM при 4 K использует реакционную площадку на кремниевой вершине зонда, тогда как углеродный донор находится на образце. Продукты идентифицировали по STM-контрасту и QM/MM-моделям; работа представлена как препринт. →
На 300-мм пластине собрали квазикомплементарную пару MoS₂-nFET и WSe₂-pFET с contacted poly pitch 50 нм. Более 94% проверенных структур показали отношение Imax/Imin выше 10⁵; EUV-рисунок и перенос 2D-материалов в вольфрамовые траншеи совместили с 300-мм фабричным маршрутом. Демонстратор пока состоит из отдельных транзисторов: логическая ячейка не показана, а каналы перенесены с кристалла или малой пластины. →