TSV размером менее 100 нм сохраняет работоспособность при смещении слоёв до 30 нм в ячейке высотой 115 нм. Sony и imec формируют вокруг зоны перекрытия локальный диэлектрический барьер, который изолирует контакт с backside и расширяет окно совмещения примерно втрое относительно via-middle TSV. Демонстрация выполнена на тестовых цепочках; абсолютные значения сопротивления и выход годных пластин не раскрыты. →