ST наконец расширила дискретный PowerGaN до 100 и 700 В — и заявляет до 98.6% на своих БП

В быстром силовом каскаде вывод истока перестаёт быть просто куском металла. По нему идёт ток силовой петли, его индуктивность создаёт выброс напряжения, а драйвер в тот же момент пытается удержать точное VGS. Для GaN, который переключается за считаные наносекунды, эта связь напрямую съедает запас по dead time, dv/dt и ложному открыванию ключа.

Именно эту физику STMicroelectronics вынесла в конструкцию новых 700-В дискретных PowerGaN. В корпусах TO-LL и PowerFLAT 8×8 HV предусмотрен Kelvin-source: отдельный вывод возвращает драйверу напряжение непосредственно от кристалла, минуя общую часть силового истока. Силовой контур и контур управления получают разные пути. Это знакомый приём для быстрых SiC- и MOSFET-каскадов, но в массовом GaN-портфеле он особенно красноречив: транзистор уже нельзя рассматривать отдельно от разводки и драйвера.

Семь 700-В e-mode HEMT ST впервые представила 26 мая 2026 года. Их типовое сопротивление открытого канала лежит в диапазоне 53–270 мОм, непрерывный ток — 6–29 А; доступны также DPAK. Августовский материал компании не был запуском линейки, он зафиксировал более широкую картину: в актуальном каталоге рядом с 700 В уже стоят серийные 100-В PowerGaN.

Низковольтный край выглядит почти вызывающе. SGT1D5R10MEA рассчитан на 100 В и имеет RDS(on) 1.1 мОм типично в двухсторонне охлаждаемом EN-FCLGA размером 5×6 мм. В data brief указан ток 474 А при температуре корпуса 25 °C и 300 А при 100 °C. Эти цифры описывают условия кристалла и теплоотвода, а не ток, который автоматически выдержит плата: сопротивление меди, переходы, шины, разъёмы и тепловое растекание быстро становятся частью спецификации. Зато такой класс ключа делает особенно интересными 48-В DC/DC, синхронные понижающие каскады и резонансные преобразователи, где потери на заряде затвора, обратном восстановлении и тайминге уже способны определять весь проект.

ST связывает портфель с AC/DC, PFC, LLC, flyback, высоковольтными шинами, робототехникой и серверным питанием. Компания заявляет для собственных reference designs КПД до 98.6%, плотность свыше 100 Вт/дюйм³ и типичное сокращение объёма примерно на 50% относительно кремниевых решений. Механизм понятен: меньшие заряд затвора и паразитные ёмкости позволяют поднять частоту, после чего уменьшаются трансформаторы, дроссели и фильтры. Однако ST не раскрыла для цифры 98.6% топологию, мощность, частоты, Vin/Vout и тепловой режим, поэтому переносить её на произвольный GaN-блок питания нельзя.

Смысл новости всё же не в одном рекордном КПД. У крупного производителя дискретный GaN оформляется в обычный инженерный ряд: от миллиомного 100-В ключа для огромных токов до 700-В приборов с корпусами, где учтён путь возврата драйвера. Это признак того, что борьба смещается с вопроса «работает ли GaN» к гораздо более интересному: удастся ли спроектировать весь преобразователь так, чтобы скорость кристалла не превратилась в звон, выбросы и радиопомехи.