Антиферромагнитную память переключили током без предварительного «размагничивания» нагревом

Импульс тока длительностью 10 нс переключил антиферромагнитный Mn₃Sn в плёнке толщиной 15 нм, сохранив магнитный порядок во время записи. В гетероструктуре Ta/Mn₃Sn spin-orbit torque переводит систему между состояниями, тогда как уменьшение слоя примерно до 30 нм ослабляет джоулев нагрев и сдвигает механизм от термозаписи. Опыт потребовал 40 МА/см², поля 0,1 Т и отдельного 100-мс импульса подготовки. →