2D-транзисторы впервые собрали в CMOS-подобную пару на 300-мм пластине

На одной 300-мм пластине изготовлена квазикомплементарная пара из MoS₂-nFET и WSe₂-pFET с contacted poly pitch 50 нм. Критерий Imax/Imin выше 10⁵ выполнили более 94% протестированных структур, однако этот результат характеризует отдельные транзисторы, а параметры контактов и разброс по пластине ещё определят ценность маршрута. →

Сегнетоэлектрическая память: 1,3 В и вертикальный стек из пяти FeFET

Сегнетоэлектрические конденсаторы Imec на 5-нм HZO выдержали не менее 10¹³ циклов при рабочем напряжении 1.3 В и показали удвоенную остаточную поляризацию 2Pr выше 40 мкКл/см². Параллельно продемонстрирован вертикальный IGZO-FeFET со стеком из пяти word lines, где второй затвор предназначен для стабилизации стирания. Две работы используют близкую физику HZO, однако измеренные метрики относятся к разным устройствам. →