Антиферромагнитную память переключили током без предварительного «размагничивания» нагревом

Одиночный импульс длительностью 10 нс переключил антиферромагнитный Mn₃Sn в тонкой плёнке, где магнитный порядок сохранялся во время записи. Переход обнаружился при толщине около 30 нм: уменьшение объёма магнитного слоя ослабило роль джоулева нагрева. Однако опыт потребовал плотности тока 40 MA/см² в Ta, поля смещения 0.1 Т и отдельного импульса подготовки состояния. →