Сегнетоэлектрическая память: 1,3 В и вертикальный стек из пяти FeFET

Сегнетоэлектрические конденсаторы Imec на 5-нм HZO выдержали не менее 10¹³ циклов при рабочем напряжении 1.3 В и показали удвоенную остаточную поляризацию 2Pr выше 40 мкКл/см². Параллельно продемонстрирован вертикальный IGZO-FeFET со стеком из пяти word lines, где второй затвор предназначен для стабилизации стирания. Две работы используют близкую физику HZO, однако измеренные метрики относятся к разным устройствам. →