Samsung UFS 5.0: 10,8 ГБ/с в мобильном корпусе 7,5×13 мм

Двухлинейный интерфейс UFS 5.0 выводит встроенную флеш-память на последовательное чтение до 10.8 ГБ/с и запись до 9.5 ГБ/с. Samsung связывает прирост с M-PHY 6.0, протоколом UniPro 3.0 и PAM4, а заявленная на той же скорости чтения энергоэффективность выросла на 40%. Пиковая цифра упирается в качество высокоскоростного канала, контроллер и режим работы NAND. →

Сегнетоэлектрическая память: 1,3 В и вертикальный стек из пяти FeFET

Сегнетоэлектрические конденсаторы Imec на 5-нм HZO выдержали не менее 10¹³ циклов при рабочем напряжении 1.3 В и показали удвоенную остаточную поляризацию 2Pr выше 40 мкКл/см². Параллельно продемонстрирован вертикальный IGZO-FeFET со стеком из пяти word lines, где второй затвор предназначен для стабилизации стирания. Две работы используют близкую физику HZO, однако измеренные метрики относятся к разным устройствам. →